1 附件 6 存储器“一条龙” 应用计划申报要求 一、 产业链构成 立足光存储、 3D NAND Flash、 DRAM，瞄准冷数据存储 、计算机、手机等终端应用， 以 产业链 上下游供 需 能力为 基础 ，针对 关键 环节重点基础产品、工艺，推动相关重点项目建设 和技术突破 ，形成上下游产业对接的 “一条龙” 应用示范链条 ，推进 产学研用国际化协同创新， 深化 产业链协作。 关键产业链条环节 序号 产业链环节 光 存 储 快闪存储器 （ 3D NANDF lash） 动态随机 访问存储器（ DRAM） 1． 上游材料 √ √ √ 2． 生产设备制造 √ √ 3． 设计、制造、封测或 IDM √ √ 光存储 制造 √ 4． 制造工艺、服务平台 √ √ √ 5． 下游应用 计算机、手机、服务器等终端应用 √ √ 医疗、保险等行业的冷数据 /归档存储应用 √ 二、 目标 和任务 （一） 上游材料 1． 电子级高纯多晶硅 及 12英寸硅片 （ 1）环节描述及任务。 持续推进电子级高纯多晶硅工程化，逐步提升集成电路用电子级高纯多晶硅产品技术水平。 推进集成电路（ IC）制造用 12 英寸硅片的规模量产能力。 （ 2） 具体目标。 电子级高纯多晶硅等关键半导体材料的生产工2 艺改进，产品技术要求达到 GB/T12963-2014 电子 1 级多晶硅要求，实现工程化，形成一定产业化生产能力 ， 12 英寸硅片在制造环节完成批量应用 。 2． 特种气体 （ 1） 环节描述及任务 。 ① 高纯氯气。 主要参数 Cl2 ≥99.999； H2O≤1.0ppm；CO2≤2.0ppmv； CO ≤1.5ppmv； O2 ≤1.0ppmv； CH4≤0.1ppmv。 ② 三氯氢硅。 主要参数纯度（质量分数） /10-2 ≥99.99；一氯甲烷含量（质量分数） /10-6 ＜ 10 ；二氯氢硅含量（质量分数）/10-6 ≤100；四氯化硅含量（质量分数） /10-6 ≤100；铁含量 质量分数 /10-9≤30；镍含量 质量分数 /10-9≤2。 ③ 锗烷 。 主要参数锗烷（ GeH4）纯度（体积分数） /10-2 ≥99.999；氢（ H2）含量（体积分数） /10-6＜ 50 氧（ O2） 氩（ Ar）含量（体积分数） /10-6 ≤2；氮（ N2）含量（体积分数） /10-6 ≤2；一氧化碳 CO含量 体积分数 /10-6 ≤1；二氧化碳 CO2含量 体积分数 /10-6 ≤1；甲烷（ CH4）含量 体积分数 /10-6 ≤1；水（ H2O）含量 体积分数 /10-6 ≤3。 （ 2）具体目标。 实现用于液晶面板、光纤、 集成电路 制造的高纯氯气产业化稳定生产，产能 600 吨 /年；实现用于芯片硅外延制造的三氯氢硅产业化稳定生产，产能 1000 吨 /年；实现用于 8 英寸、 12英寸芯片、薄膜太阳能电池及光纤制造的锗烷产业化稳定生产，产能 10 吨 /年。 3． 封装材料 （ 1） 环节描述及任务。 开发 FBGA、 MCP、 PoP、 RDL、 Bumping Flip Chip、 TSV 等 先进 形式 封装。 建立完备的 氮化铝多层陶瓷一体化 封装设计、工艺及测试平台，开发氮化铝多层陶瓷一体化封装一3 系列产品 ， 满足 SiP、 BGA、 DIP 等封装要求。 （ 2）具体目标。 开发 FBGA、 MCP、 PoP、 RDL、 Bumping Flip Chip、 TSV 等 先进封装 形式 ，采用适合存储芯片封装的主流材料，实现大规模量产能力 。 掌握并引领氮化铝多层陶瓷一体化封装产业化技术，实现氮化铝多层陶瓷一体化封装技术创新，氮化铝多层基板布线层数最高可达 30 层，封装体积缩小 60左右，提高陶瓷封装密度，解决高密度封装带来的散热问题。建立氮化铝多层陶瓷一体化封装的技术平台，实现氮化 铝陶瓷封装的产业化生产。 4． 数据记录关键镀膜（合金）材料 （ 1） 环节描述及任务。 突破高性能 无机记录 和反射材料生产工艺，实现技术创新，年使用量不低于 2.5吨；实现年产专业数据存储产品 500万片，服务于各种高要求大数据安全存储应用。 （ 2）具体目标。 制备高吸收特性的 405nm光波能量特种铜合金材料真空磁控溅镀的圆形靶。铜合金材料的纳米级溅镀膜层与非晶硅膜层叠加后，在 405nm激光束作用下形成 Cu3Si记录点的光电特性扰动值＜ 8；所需记录功率＜ 6mW；反射率≥ 32。基于该新材料实现产品性能单盘容量≥ 100GB；读写速率≥ 144Mbps；可靠使用寿命（加速老化测试）≥ 50年。 （二） 生产设备制造 （ 1） 环节描述及任务。 实现关键设备行业保障能力。 （ 2）具体目标。 减薄机， 300mm超薄晶圆减薄抛光一体机。光刻机，可满足 200mm及 300mm硅片封装工艺要求。 刻蚀机， 300mm存储特色工艺刻蚀设备。气相淀积设备， 300mm存储工艺用 CVD、PVD设备。光学测量设备及 其 它 关键设备行业供应能力的提升。 （三） 设计、制造、封装或 IDM， 光存储 制造 4 1． 3D NAND Flash （ 1） 环节描述及任务。 开发 3D NAND Flash系列产品 ， 建设完备的 3D NAND Flash存储器封装、测试、系统级验证等软硬件平台。 （ 2）具体目标。 掌握存储器产业化生产技术，拥有 3D NAND Flash 自主知识产权，制程工艺缩小至 14/16nm，堆叠层数达到 64层，提升驱动控制电路等外围芯片和算法能力。实现 3D NAND Flash芯片产业化生产，达到存储器的规模应用。 2． 全息光存储设备 （ 1） 环节描述及任务。 面向海量数据高效存储需求，突破传统光存储二维记录、一维读写的理论极限，探索超高密度、超快传输、超长寿命全息光存储新方法。 （ 2）具体目标。 开发 全息光存储设备，存储密度较传统光存储技术（ 25Gb/inch2）提高 2个数量级以上，读取速度 128Gb/s，写入速度＞ 20Gb/s，数据掉电保存寿命 50年以上； 开发 评估工具，验证以上指标。 3． 高性能第四代 DRAM存储器 （ 1） 环节描述及任务。 完成第四代 DDR4 DRAM存储器系列产品，完全符合 JEDEC国际标准，与国际大厂同类产品完全兼容，实现计算机、服务器、汽车电子等应用，支持云计算、大数据和智能制造等发展战略。完成第四代 LPDDR4 DRAM存储器系列产品，完全符合 JEDEC国际标准 ，与国际大厂同类产品完全兼容，实现智能终端、消费电子等量产应用。 （ 2）具体目标。 建设完备的第四代 DRAM存储器设计、测试、系统级验证等软硬件平台，构建第四代 DRAM存储器产业化产业链。开发符合 JEDEC国际标准的第四代 DRAM存储器系列产品。开发5 DRAM产品容量不低于 4Gbit，接口覆盖 x8、 x16和 x32，数据速率18663200MHz，双供电电压分别不高于 1.2V和 2.5V。产品支持循环冗余码校验、温度控制刷新周期、读写时序自动校准、多种自刷新模式、 Row hammer自动侦测、免疫功能和提高可靠性 、 支持封装后再修复功能和指令奇偶校验。开发标准 DDR4接口控制芯片。 （四） 工艺 /平台 1． 集成电路公共服务平台 （ 1） 环节描述及任务。 先进逻辑技术基本工艺如 20-14-10纳米工艺技术；先进存储器工艺技术如 3D NAND存储器； SoC制造技术包括各种嵌入式存储器等；基础性和先导性产业技术 开发 ；设备和材料的验证；相关配套 IP的 开发 与验证，以及 CoT服务等；其它 具有市场前景的产品工艺等。 （ 2） 具体目标。 以骨干集成电路企业为主导，组织产学研联合，依托先进的 12 英寸集成电路生产线和先导 开发 平台，整合软硬件资源，建设中国 IC先导技术的 开发 基地和验证平台，推动微电子装备、材料和配套工艺、 IP 的 开发 、验证及全面产业化。 2． 光存储生产及工艺 （ 1）环节描述及任务。 拥有可记录蓝光光盘关键记录材料配方，建设完备的蓝光存储介质测试生产体系，以及依托该蓝光介质开发光存储器系统软硬件平台和系列产品。 （ 2）具体目标。 掌握蓝光数据存储介质和光存储器系统产业化生产技术，实现关键记录材料和存储器系统的创新。存储密度单盘容量 ≥100GB、 42U 标准机柜 ＞ 12000 片。实现光存储器系统的产业化生产和规模应用，相关技术性能达国际先进水平。 （五） 下游应用 6 1． 计算机、手机、服务器等终端应用 （ 1） 环节描述及任务。 积极推进 3D NAND Flash、 DRAM行业保障能力，推动 产业 链上游产品的 示范 应用。 （ 2） 具体目标。 下游 应用 企业 产品 满足市场需求，市场 认可度不断提升。 2． 医疗、保险等行业的冷数据和归档存储应用 （ 1） 环节描述及任务。 推进光存储在冷数据存储和归档存储中的应用。 （ 2） 具体目标。 通过光存储解决方案应用，降低企业能耗，满足应用需求。 三、 咨询电话 中国企业联合会 杨秀丽 010-68702166 附 存储器“一条龙” 应用计划申报书 7 附 存储器“一条龙” 应用计划申报书 企业名称 项目名称 责任人（法人代表） 项目技术负责人 实施年限 20 年 月至 20 年 月 填报日期 20 年 月 日 中华人民共和国工业和信息化部制 二〇 一八 年 六 月8 单位名称 注册地 机构代码 项目名称 项目 实施期 年月至年月 所属产业链 □ 光存储 □ 3D NAND Flash □ DRAM 所属产业链 关键环节 □ 上游材料 □ 设计、制造、封装或 IDM □ 生产设备制造 □ 服务平台 □ 下游应用 所属产品 □ 晶硅材料 □ 特种气体 □ 封装材料 □ 镀膜材料 □ 光存储设备 □ 3D NAND Flash □ DRAM □ 生产制造设备 实施期 年 月至 年 月 主要负责人 联系电话（手机） 电子邮箱 传真 参与单位满足所属 “一条龙 ”环节供需概述 （包括 1.企业基本情况； 2.重点产品、工艺符合性质，与 “一条龙 ”其他环节在产品、工艺上的直接关联性； 3.创新能力、产品技术和工艺水平领先情况； 4.对产业链上游的需求，以及对下游可提供的产品或服务；近年来企业产品和技术实际使用和应用情况； 5.近三年经营业绩，遵纪守法情况，管理制度建设情况，包括不限于以下内容 2015、 2016、 2017 年企业情况 技术 研发投入占营收比例 当年申请专利数，截至年底累计授权专利数 市场 细分领域市场份额、市场排名 财务 总资产 资产负债率 年度营业收入 年度净利润 6.企业参与 “一条龙 ”应用计划的运行工作机制及措施； 7.推荐的龙头企业、参与单位和示范工程； 8.存在的问题和建议等。 项目基本情况 （总投资、主要建设内容、预期效果等），并填列下表 项目目前情况 项目成熟度 是否已经完成可研 项目总投资 总投资额 项目资本金 项目资本金额度 参与单位 自评意见 本单位承诺申报内容真实有效。 法定代表人（签字） （盖章） 年 月 日