欢迎来到环境100文库! | 帮助中心 分享价值,成长自我!
环境100文库
首页 环境100文库 > 资源分类 > PDF文档下载

CM-053-V01半导体行业中替换清洗化学气相沉积(CVD)反应器的全氟化合物(PFC)气体项目自愿减排方法学.pdf

  • 资源大小:754.20KB        全文页数:49页
  • 资源格式: PDF        下载权限:游客/注册会员/VIP会员    下载费用:2碳币 【人民币2元】
游客快捷下载 游客一键下载
会员登录下载
下载资源需要2碳币 【人民币2元】

邮箱/手机号:
您支付成功后,系统会自动为您创建此邮箱/手机号的账号,密码跟您输入的邮箱/手机号一致,以方便您下次登录下载和查看订单。注:支付完成后需要自己下载文件,并不会自动发送文件哦!

支付方式: 微信支付    支付宝   
验证码:   换一换

友情提示
2、本站资源不支持迅雷下载,请使用浏览器直接下载(不支持QQ浏览器)
3、本站资源下载后的文档和图纸-无水印,预览文档经过压缩,下载后原文更清晰   

CM-053-V01半导体行业中替换清洗化学气相沉积(CVD)反应器的全氟化合物(PFC)气体项目自愿减排方法学.pdf

1/49 CM-053-V01 半导体行业中替换清洗化学气相沉积CVD反应器的全氟化合物PFC气体 (第一版) 一、 来源、定义和适用范围 1. 来源 本方法学参考UNFCCC EB的CDM项目方法学AM0092 Substitution of PFC gases for cleaning Chemical Vapour Deposition CVD reactors in the semiconductor industry(第1.0版),可在以下网址查询http//cdm.unfccc.int/methodologies/DB/147DQS77PQ5M53S4QN923QTN5W0T8D 本方法以下述工具最新版本作为参考 y 基准线情景识别与额外性论证组合工具,以及 y 设备剩余寿命确定工具 2. 定义 出于使用本方法的目的,下述定义适用 消除装置销毁除PFC之外的物质的装置,例如挥发性有机碳和硅烷,消除过程中可以销毁部分PFC。 清洗工艺为下述三种工艺/生产元件的特殊组合进行优化,从而从CVD反应器中清除杂质的工艺, a CVD薄膜沉积应用, b CVD方法特定模型,以及 c 特定消除装置。1基准工艺‘p’在清洗工艺中使用C2F6的工艺。 1清洗工艺包括一系列的工序,预先确定工艺参数(气流量、压力、等离子电源),并为综合的硬件和薄膜厚度进行优化。例如,清洗工艺可以是在无掺杂的硅酸盐玻璃(例如基于TEOS/O2的)膜沉积后,在配有GuardianTM消除装置的应用材料P5000 xLTM仪器上清除残渣的工艺。此外,清洗工艺还可以是在配有CDOTM清除装置的NovellusTM系列模具上,清除氮化硅(例如基于SiH4/NH3的)沉积残渣的工艺。 2/49 替代工艺‘p’替代基准工艺的c-C4F8清洗工艺。 清洗运转‘k’使用替代工艺‘p’执行清洗工艺的特例。由于每次清洗运转之前沉积膜的厚度‘t’不同,项目参与人员将根据每次清洗运转(和每个厚度)计算减少的排放。 原始PFC气体项目实施前用于清洗CVD反应器的PFC(C2F6)。 替代PFC气体项目实施后替代原始PFC气体的PFC气体(c-C4F8)。 稀释因子(DF)总排放量与使用入气总量的比率(泵或消除装置)。 销毁清除效率(DRE)通过消除装置清除具体化合物的效率比例。 3. 适用条件 本方法适用于半导体行业通过使用现场清洗CVD反应器的气体c-C4F8(八氟环丁烷)替换C2F6,从而降低PFC排放的项目活动。 在下述情况下,亦适用本方法 a 项目范围内的生产线于2010年1月1日之前开始商业运营,在项目实施之前运营时间至少为三年,在此期间原始PFC气体为C2F6; b 没有为了后续的销毁,临时储存替代PFC气体。 本方法不适用于为了销毁PFC特别使用消除装置的工艺。.2 此外,本方法适用上文提到的工具的适用条件。 最后,只有当基准情景作为现有情景的延续时,即项目实施之前的最近三年中使用的同一基准技术的延续,本方法方可适用。 二、 基准方法程序 1. 确定基准线情景,论证额外性 应使用“基准线情景识别与额外性论证组合工具”的最新版本,从而确定基准情景,显示额外性。 在使用本工具的步骤1时,本项目可能的替代选择包括但不限于 2与用于消除其他物质的消除装置截然相反,例如挥发性有机碳和硅烷,可消除部分PFC。 3/49 y 工艺优化,以降低原始PFC气体的消耗和排放;3y 通过安装启用可销毁PFC的清除装置,降低排放; y 使用除c-C4F8(如C3F8)之外的PFC替代品; y 使用非全球变暖气体作为PFC替代品(如COF2或F2); y 使用配有NF3远程清洗技术的CVD模具替代现有CVD模具;4 y 使用NF3远程清洗技术升级现有CVD模具; y 提议的项目活动没有登记为清洗发展机制项目活动; y 现有情景(使用C2F6)的延续。 项目参与人员应在使用本工具的项目中,遵循“基准线情景识别与额外性论证组合工具”步骤3,比较步骤1后剩余的替代选择,不进行障碍分析(步骤2)。如果确定基准情景表明,两个或多个基准情景均被视为“最可能的情景”,排放水平最低的情景应被视为基准情景。 在使用本工具的步骤3时,项目参与人员应注意以下事项 y 运营支出(如清洗气体费用、维护费用、设施消耗和费用、监测费用等); y 新设备或必要的设备更新支出; y 替代PFC气体可能的优点,例如缩短清洗时间,增加生产效率和其他成本,或节约费用(如适用)。 y 财务可行性相关的其他支出和优点。 在验证期间没有利益冲突的第三方业内专家应对财务分析的准确性予以确认,包括对资格再评定的正当理由和支出进行审查(如必要)。 2. 项目边界 本项目的物理边界包括符合本方法的特定半导体生产线和适用的替代工艺。图1介绍了本项目的空间范围。 3项目参与人员应提供证明,表明已经对该工艺进行了优化。 4应该指出的是,切换到NF3不会造成基准线排放的增加,因为NF3不是温室气体。 排放基准线项目活动表1列出了放源 基准线使用原使用原FC副产使用燃CO2排项目活动使用替图了本项目范表1原始PFC气体原始PFC气体产品排放 燃料或电力产排放 替代PFC气体图1基准线范围包括或不本项目范气体 C2体产生的CF产生的CO体 c-C4/49线和项目情不包括的温范围包括或气体 是否包F6是 4是 2否 4F8是 情景的项目边温室气体。或不包括的排包括 原因CVDC2F6CVD产品基准生的替代用的边界 排放源 因/说明 反应室清洗排放包括在反应室清洗品CF4 排放包准和项目活动的CO2 排放没代CVD反应室的c-C4F8排放洗工艺中未使在项目范围内 洗工艺中的C包括在项目范动所用电中燃料没有重大差异室清洗工艺中放包括在项目范使用的2F6副范围内 料产异 中未使范围内 5/49 使用替代PFC气体产生的FC副产品排放 CF4是 CVD反应室清洗工艺中的c-C4F8副产品CF4 排放包括在项目范围内 C2F6否 实验证据表明,C2F6不是c-C4F8 CVD反应室清洗工艺的副产品。 C3F8No 实验证据表明,C3F8不是c-C4F8 CVD反应室清洗工艺的副产品。 使用燃料或电力产生的CO2排放 CO2No 基准和项目活动中使用燃料或电力产生的CO2 排放没有重大差异 3. 项目排放 步骤P1计算项目排放 计算一个信用年的项目排放,以测算替代气体(c-C4F8)消耗量和计算排放系数为基础。以下介绍测算方法指南 a 记录计入期内运行的清洗工艺‘p’的每次清洗运转‘k’前CVD反应室沉积的薄膜的厚度‘t’; b 持续记录清洗工艺‘p’每次清洗运转‘k’的替代气体c- C4F8消耗量,以及每次清洗运转前CVD反应室沉积的薄膜的厚度‘t’。关于每次清洗运转,应通过整合清洗运转时间内c- C4F8质量流量控制器的信号,测算c- C4F8消耗量。 c 持续监测各个清洗工艺‘p’的所有关键工艺参数(温度、等离子电源、压力、流量)和厚度‘t’,从而确保不会出现偏离核心工艺的情况。 因此,需要遵循下述步骤方法,从而计算信用年‘y’的项目排放。 实际项目排放(PEp,t,k)根据事前活动中测算的排放系数(EFPJ,p,t)和每次清洗运转‘k’时每次CVD反应室清洗运转(CPJ,y,p,t,k)替代气体的消耗量进行计算。 通过合计项目活动的所有清洗工艺‘p’和清洗运转‘k’,计算计入期(PEy)项目排放总量。 关于项目活动的每个清洗工艺‘p’,年‘y’项目排放(PEp,y)应通过合计当年所有清洗运转‘k’的项目排放进行计算。 6/49 如果项目包括 ‘p’个 不同的清洗工艺,信用年‘y’的项目排放应根据如下公式进行计算 610−∑∑ptp,PJ,kkt,p,y,PJ,yEFCPE1 其中 yPE 信用年‘y’项目排放量(tCO2e) ktpyPJC,,,, 信用年‘y’替代工艺‘p’、厚度‘t’的清洗运转‘k’ c-C4F8消耗量(g) tpPJEF,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) p 项目活动包括的不同清洗工艺的数量 t 清洗运转‘k’期间CVD反应室沉积的薄膜的厚度(m) k 清洗工艺‘p’的清洗运转数量 步骤P2确定项目排放系数(EFPJ,p,t) 应采用下述测算和计算方法,确定项目排放系数 a 应开展使用政府间气候变化专门委员会(IPCC)三级方法的活动,从而测算基准和替代工艺的气体使用率(UBL,p,t, UPJ,p,t)以及项目活动每个清洗工艺‘p’(BCF4,BL,p,t, BCF4,PJ,p,t)和厚度范围‘t’产生的CF4副产品的总量。 应由在半导体/LCD/PV领域拥有安装和开展气体排放测算经验的独立合格的专家开展事前活动的设计、实施和结果验证。核查时,独立的证书将提交经国家主管部门备案的审定/核证机构。 应量化每个清洗工艺‘p’和厚度‘t’消耗的基准气体和替代气体的比率(CBL,p,t/CPJ,p,t)。使用傅里叶变换红外光谱学(FTIR)进行测算。该技术量化CVD反应室内的真空泵(消除前测算,图2点A)排气口的排放量。 b 如果项目范围包括消除装置,应该测算基准工艺进入消除装置的每种气体‘i’的销毁清除效率(DRE)(dBL,i,p)和替代工艺进入消除装置的每种气体‘j’的销毁清除效率(dPJ,j,p)。DRE的测算应以FTIR和四极质谱仪(QMS)为基础,对c 空泵五个(BCVD反应图2点B)应通过算。正如方放。 以上述步骤放系数(E进行保守的步骤P2.1对于项目活泵排气口CF个沉积/清洗应为各个t,p,n,PJ,CF4)应室内的真空排气口的过说明CV方程式所示骤(a)和FBL,p,t, EFP的估算。 图2连接确定c-C活动的各个4和c-C4F洗循环重复一个实验点计,计算方法空泵(消除排放量进行D模具的配示,99的D(b)的测算J,p,t)进行计接四个反应室4F8使用率个替代工艺‘8的排放量一次测算,算c-C4F8法如下 7/49前测算和图行量化。 配置,对排RE是可能算为基础,计算。应通室的消除装率和CF4副产p’和厚度‘t量进行量化并遵循附件利用率(图2点A)排放系数和销能的,几乎完对各基准和通过说明实验装置的CVD产品排放系’,应对替代。这种测算件中强调的实(t,p,n,PJU)和消除装置销毁清除效完全消除特和替代工艺验的不确定模具原理图系数 代工艺CV算应以FTIR实验程序。和CF4副置(消除后效率进行保守特定生产工艺‘p’和厚度‘t定性,对排放图 D反应室内为基础,至副产品排放测算,守地估艺的排’的排放系数内的真至少每放系数 8/49 tp,n,PJ,tp,n,PJ,,FCctp,n,PJ,CMU84−2 其中 tpnPJU,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’c-C4F8清洗气体的利用率(无因次量) tpnPJC,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’c-C4F8消耗量(g) tpnPJFCcM,,,,84− 替代工艺‘p’、厚度‘t’,从CVD排放的c-C4F8排放总量(g) n 每个替代工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 tp,n,PJ,tp,n,PJ,,CFtp,n,PJ,,CFCMB443 其中 tpnPJCFB,,,,4 替代工艺‘p’、厚度‘t’CF4排放系数(替代工艺每使用一克c-C4F8清洗气体产生的g CF4) tpnPJCFM,,,,4 替代工艺‘p’、厚度‘t’,从CVD排放的CF4副产品排放总量(g) tpnPJC,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’c-C4F8消耗量(g) n 每个替代工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 步骤P2.2确定消除装置销毁清除效率(如果有消除装置) 如果在项目活动中安装消除装置,应在替代工艺中测算消除装置排气口每种气体‘j’(j作为副产品排放的CF4和c-C4F8)的浓度。此外,应使用附件中强调的实验程序,测算消除装置的稀释因子。 应根据上述测算和消除前测算,确定替代工艺中进入消除装置的每种气体‘j’的销毁清除效率。作为一种保守的测算,应在最差情景下测算替代工艺的DRE(最高替代气流量条件下项目最低DRE)。最差情景是指一个特定模具的所有CVD反应 9/49 室都在运行替代工艺。这将确保用于计算项目排放的DRE值低于替代工艺副产品的实际销毁清除效率。 应使用下述方程式,计算替代工艺的DRE pj,in,pj,out,pj,PJ,cDFcd−14 其中 pjPJd,, 替代工艺‘p’测算的气体j的销毁清除效率(无因次量) pjinc,, 替代工艺‘p’进入消除装置的气体j的浓度(ppmv) DF 消除装置稀释因子(无因次量) pjoutc,, 替代工艺‘p’中从消除装置排放的气体j的浓度(ppmv) 步骤P2.3项目排放系数的计算 根据步骤P2.1测算的c-C4F8使用率和CF4排放系数,和步骤P2.2测算的DRE值,可以确定每个替代工艺‘p’和厚度‘t’的综合排放系数。 关于每个实验数据点(各替代工艺‘p’、厚度‘t’单独测算),应按下述方程式计算替代排放系数 8484FCcpPJ,,FCctp,n,PJ,tp,n,PJ,GWPd1U1EF−−−−5 44CFpPJ,,CFtp,n,PJ,,CFGWPd1B 4−其中 tpnPJEF,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克c-C4F8气体产生的gCO2E)tpnPJU,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’替代清洗气体的使用率(无因次量) pPJFCcd,,84− 替代工艺‘p’c-C4F8的DRE(无因次量) 10/49 84FCcGWP− c-C4F8的全球增温潜势(每克 c-C4F8产生的gCO2E) tpnPJCFB,,,,4 替代工艺‘p’、厚度‘t’CF4排放系数(替代工艺使用每克c-C4F8清洗气体产生的g CF4) pPJCFd,,4 替代工艺‘p’使用替代PFC气体产生的CF4副产品的DRE(无因次量) 4CFGWP 全球增温潜势(每克CF4产生的gCO2E) n 每个替代工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 根据上述测算和步骤P2.3计算的数值,计算替代工艺排放系数的平均值和标准差。 如果每个替代工艺‘p’和厚度值‘t’的测算数为n,应按下述方程式计算平均值和标准差 NEFEFNntp,n,PJ,tp,PJ,AVG,∑16 其中 tpPJAVGEF,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’平均排放系数(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e)tpnPJEF,,, 第n个测算替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) N 测算数量(最小值为五) 112−−∑NEFEFσNntp,PJ,AVG,tp,n,PJ,EFt,p,PJ7 其中 11/49 tpPJEF,,σ 根据N次测算,替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数标准差(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) tpPJAVGEF,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数平均值(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) tpnPJEF,,, 第n个测算替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) n 每个替代工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 N 测算数量(最小值为五) 作为保守性的测算,项目开发商将把排放系数标准差(t,p,PJEFσ)2.77倍的数值添加到每个tpPJAVGEF,,,值。替代工艺排放系数(t,p,PJEF)的保守估算结果将被用于计算计入期的项目排放,以确保确定减排而计算的项目排放高于实际项目排放在95的置信区间。 应使用下述方程式保守地计算替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数 tpPJEFtpPJAVGtpPJEFEF,,77.2,,,,,σ8 其中 tpPJEF,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数的保守估算值(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) tpPJAVGEF,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’至少五个晶片的平均排放系数(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) tpPJEF,,σ 替代工艺‘p’、厚度‘t’至少五个晶片的排放系数标准差(消耗每克c-C4F8产生的gCO2e) p 项目活动不同清洗工艺的数量 12/49 4. 基准线排放 为了确定基准线排放,需要为每个基准工艺‘p’量化排放系数(EFBL,p),而项目支持者应在项目活动启动之前在事前测算活动中对其进行测算。应由在半导体/LCD/PV领域拥有安装和开展气体排放测算经验的独立合格专家开展事前活动的设计、实施和结果验证。在核查间,独立专家的证书将提交至经国家主管部门备案的审定/核证机构。 为了分析估算基准,在项目审定之前,项目开发商应适用反游戏条款,确保在项目实施之前的三年内基准没有出现不规则的增加。在项目审定和实施后,应估算使用C2F6而非c-C4F8产生的排放,从而使用排放系数计算计入期的基准线排放。 关于测算和计算方法,请参考项目排放部分的序言。除项目排放部分的步骤之外,在项目实施之前的三年内,下述步骤是强制性的 a 项目实施之前的三年内项目活动内各个清洗工艺‘p’和厚度‘t’的基准气体消耗文件(CBL,p,x, x -1 到 -3); b 可能影响项目实施之前的三年内的排放系数或基准线排放的历史项目文件; c 适用反博彩条款,从而确保在项目实施之前的三年内基准没有出现不规则的增加。 信用年‘y’的基准线排放的计算涉及下述步骤 步骤B1计算基准线排放 应为项目活动的各个基准工艺‘p’计算在信用年‘y’使用C2F6而非c-C4F8产生的排放。因此,应通过监测计入期所有清洗运转‘k’的基准线排放,计算信用年‘y’基准工艺‘p’的基准线排放。应通过合计各基准工艺‘p’的贡献额,计算年‘y’的基准线排放总量。应根据每个清洗工艺(tAVG,p)的平均历史厚度对应的历史C2F6气体消耗,对PFC气体消耗进行限制。 应根据计入期实际生产条件,为项目活动的每个清洗工艺‘p’确定薄膜厚度的最小和最大值。应根据事前活动的厚度的平均值计算C2F6气体的消耗。例如,如果厚度范围在最小值0.5m和1.5m之间,应按1.0m计算消耗。 确定rp,t应为项目活动的每个清洗工艺‘p’和厚度范围‘t’,确定制定c-C4F8清洗工艺测算的项目活动C2F6气体的消耗量和c-C4F8气体消耗量的比率(CBL,p,t/CPJ,p,t)。请参考附件确定合适的厚度范围和厚度值。 13/49 当引入限制,生产下降时,应调整基准线排放当一个特定的信用年‘y’的生产低于项目实施之前的三年的任一年的生产时(M2PTy minM2PTx,-1,x,-2,x,-3),‘BE’应按项目年生产量除以项目实施之前三年中最低生产量的比率进行低值估算。例如,如果项目年‘y’生产了10,000 m2产品,历史最低年生产量是在x-3,为12,000 m2,那么减排量应乘以10,000/12,000,以确定年‘y’的实际限额。 如果项目包括‘n’个不同的基准工艺‘p’,信用年‘y’的基准线排放,应为替代气体消耗量、历史消耗量和每个区域的历史消耗重组产生的基准线排放的最小值,乘以年‘y’的基片生产量。 63322111022222−−−−−−−⎥⎥⎥⎦⎤⎢⎢⎢⎣⎡⎟⎟⎟⎠⎞⎜⎜⎜⎝⎛∑∑∑∑∑ t,p,BLkyyt,pypkk,t,p,y,PJxx,BLxx,BLxx,BLcap,BLt,pk,t,p,y,PJpyEFTPMrTPMC,TPMC,TPMC,TPMCmin,C,rCminBE9 加上 t,p,PJt,p,BLt,pCCr 10 其中 yBE 信用年‘y’基准线排放(tCO2e) ktpyPJC,,,, 信用年替代工艺‘p’、厚度‘t’清洗运转‘k’的c-C4F8消耗量(g)r 基准工艺‘p’ C2F6消耗量与替代工艺、厚度‘t’ c-C4F8消耗量的比率(无因次量) t,p,BLC 基准工艺‘p’、厚度‘t’ C2F6气体消耗量 tpPJC,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’ c-C4F8气体消耗量 capBLC, 气体消耗量限额是指历史三年内C2F6平均消耗量 3,2,1, −−− xxxBLC 历史年‘x’ C2F6消耗量(x -3 to -1) tpBLEF,, 基准工艺‘p’、厚度‘t’基准线排放系数保守估算值(消耗每克C2F6气体产生的gCO2e) 14/49 P 项目活动不同清洗工艺的数量(整体) T 清洗运转‘k’CVD反应室沉积的薄膜的厚度(m ) K 清洗工艺‘p’的清洗运转数量 yTPM 2 信用年‘y’产生的基片表面面积(m2) ,x,,x,,xTPM3212−−− 历史年‘x’(x -3 到-1)产生的基片表面面积(m2) 步骤B2确定基准线排放系数(EFBL,p,t) 请参阅项目排放部分序言的测算与计算方法。 步骤B2.1确定C2F6使用率和CF4副产品排放系数 应为项目活动各个基准工艺‘p’、厚度‘t’计算基准工艺CVD反应室内的真空泵排气口CF4 和of C2F6排放量。这一测算应以FTIR为依据,为至少五个沉积/清洗周期进行测算,并遵循附件强调的实验程序。此外,还应测算每个基准工艺‘p’、厚度‘t’的C2F6排放。 应使用下述方程式,计算每个实验点的C2F6 使用率(t,p,n,BLU)和CF4副产品排放系数(tpnBLCFB,,,,4) t,p,n,BLt,p,n,BL,FCt,p,n,BLCMU621−11 其中 tpnBLU,,,基准工艺‘p’、厚度‘t’C2F6清洗气体使用率(无因次量) tpnBLC,,,基准工艺‘p’、厚度‘t’C2F6消耗量(g) tpnBLFCM,,,,62基准工艺‘p’、厚度‘t’C2F6排放量(g) n 每个基准工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 15/49 t,p,n,BLt,p,n,BL,CFt,p,n,BL,CFCMB4412 其中 tpnBLCFB,,,,4基准工艺‘p’、厚度‘t’CF4排放系数(基准工艺使用每克C2F6清洗气体产生的g CF4) tpnBLCFM,,,,4基准工艺‘p’、厚度‘t’的CF4排放量(g) tpnBLC,,,基准工艺‘p’、厚度‘t’C2F6消耗量(g) n 每个基准工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 步骤B2.2确定消除装置销毁清除效率(如有消除装置) 如果项目活动中安装消除装置,应测算基准工艺消除装置排气口各种气体‘i’(i CF4 和C2F6)的浓度。此外,还应使用附件强调的实验程序,测算消除装置的稀释因子。应根据上述测算和步骤B2.1中的消除前测算,确定基准工艺进入消除装置的各种气体‘i’的销毁消除效率。作为保守性的测算,应测算最佳情景(测算最低基准气体流量下的最高基准DRE)下各个工艺‘p’的基准工艺的DRE。在最佳情景下,特定模具上只有一个CVD反应室运行清洗工艺(其他仪器保持空闲)。这将确保用于计算基准线排放的DRE值高于基准工艺副产品的实际销毁消除效率。 应使用下述方程式13,计算基准工艺的DRE。 p,i,inp,i,outp,i,BLcDFcd−113 其中 piBLd,,基准工艺‘p’测算的气体i的销毁消除效率(无因次量) piinc,,基准工艺‘p’进入消除装置的气体i的浓度(ppmv) DF 消除装置稀释因子(无因次量) 16/49 pioutc,,基准工艺‘p’排出消除装置的气体i的浓度(ppmv) 步骤B2.3计算基准线排放系数 应根据步骤B2.1测算的C2F6使用率和CF4 排放系数、步骤B2.2测算的DRE值,确定各个基准工艺‘p’、厚度‘t’基准工艺的排放系数。从根本上看,基准线排放系数允许解释基准工艺消除装置排气口包括的所有FC气体的全球增温潜势,并计算消除每单位C2F6的二氧化碳排放当量。 关于各个实验数据点(每个替代工艺‘p’、厚度‘t’的单独测算),应根据下述方程式计算基准线排放系数 −−626211FCp,BL,FCt,p,n,BLt,p,n,BLGWPdUEF4441CFp,BL,CFt,p,n,BL,CFGWPdB −14 其中 tpnBLEF,,, 基准工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克C2F6气体产生的gCO2e)tpnBLU,,, 基准工艺‘p’、厚度‘t’C2F6清洗气体使用率(无因次量) pBLFCd,,62 基准工艺‘p’测算的C2F6的DRE(无因次量) 62FCGWP 的全球增温潜势(消耗每克C2F6产生的gCO2e) tpnBLCFB,,,,4 基准工艺‘p’、厚度‘t’ CF4排放系数(基准工艺消耗每克C2F6清洗气体产生的g CF4) pBLCFd,,4 基准工艺‘p’使用基准PFC气体产生的CF4副产品的DRE(无因次量) 4CFGWP CF4的全球增温潜势(消耗每克CF4产生的gCO2e) n 每个替代工艺‘p’、厚度‘t’的测算数量 17/49 应根据上述方程式中的测算和测算值,计算基准工艺排放系数的平均值和标准差。 如果每个替代工艺‘p’和厚度值‘t’的测算数量为n,应按下述方程式计算平均值和标准差 NEFEFNntpnBLtpBLAVG∑1,,,,,,15 其中 tpBLAVGEF,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’平均排放系数(消耗每克c-C2F6产生的gCO2e)tpnBLEF,,, 第n个测算替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克c-C2F6产生的gCO2e) 112,,,,,,,,−−∑NEFEFNntpBLAVGtpnBLEFtpBLσ16 其中 tpBLEF,,σ 根据N次测算,替代工艺‘p’、厚度‘t’排放系数标准差(消耗每克c-C2F6产生的gCO2e) tpBLAVGEF,,, 替代工艺‘p’、厚度‘t’平均排放系数(消耗每克c-C2F6产生的gCO2e)tpnBLEF,,, 第n个测算基准工艺‘p’、厚度‘t’排放系数(消耗每克C2F6产生的gCO2e) n 每个替代工艺‘p’、厚度‘t’测算数量 N 测算数量(最小值为五) 18/49 作为保守性的测算,项目开发商将从每个t,p,BL,AVGEF值中减去排放系数标准差(t,p,BLEFσ)2.77倍的数值。基准工艺排放系数(t,p,BLEF)的保守估算结果将被用于计算历史期和计入期的基准线排放,确保估算的基准线排放高于实际基准线排放在95的置信区间。 t,p,BLEFt,p,BL,AVGt,p,BLσ.EFEF − 77217 其中 t,p,BlEF 基准工艺‘p’、厚度‘t’排放系数的保守估算值(消耗每克C2F6产生的gCO2e) tpBLAVGEF,,, 基准工艺‘p’、厚度‘t’至少五个晶片的平均排放系数(消耗每克C2F6产生的gCO2e) tpBLEF,,σ 基于至少五次测算的基准工艺‘p’、厚度‘t’排放系数标准差(消耗每克C2F6产生的gCO2e) p 项目活动不同清洗工艺的数量 t CVD反应室沉积的薄膜的厚度(m) 步骤B3应用反游戏条款 在完成事前测算活动后,项目开发人员应量化项目开始前三年内(历史期)各个清洗工艺‘p’的基准PFC气体的消耗量。开发人员应用文件记录可能影响历史期基准的工艺变化,并证明基准并没有出现增加。应用反游戏条款的步骤如下 1 项目开始之前的三年内,项目活动各个清洗工艺‘p’C2F6基准气体消耗文件(CBL,p,x, x -3 到 -1); 2 关于历史期或影响方法应用条件的历史项目,项目活动各个清洗工艺‘p’的历史项目文件,如影响排放系数的工艺变化(EFBL,p,x, x -3 到 -1); 3 提供证据,表明在项目实施之前的三年内,项目活动各个清洗工艺‘p’基准没有出现增加。尤其要指出的是,应表明任何特定清洗工艺‘p’的历史排放系数(EFBL,p,x)没有出现增加,例如下述要点的结合 19/49 y CVD薄膜沉积应用; y CVD模具特定模型;以及 y 消除装置特定模型。 为了证明没有改变清洗工艺,以增加历史期的EFBL,p,x,项目支持者可以依据 y 直接的实验证明; y 科学文献中明确可信的证据,表明相似清洗工艺的特定变化确实造成排放降低;或 y IPTT 2b或3级方法。 如果没有直接实验证据,应采纳科学文献或2b级方法中可用的最保守的基准估算。 4 如果无法证明特定工艺‘p’相关的排放系数在历史期没有出现增加,该特定基准工艺不符合本项目要求(如,没有允许特定基准工艺的信用认证)。 本条款不适用于能够证明历史项目造成特定清洗工艺‘p’基准线排放降低的清洗工艺变化。例如,当历史工艺变化通过工艺优化、使用替代化学品、降低二氧化碳当量总排放或其他合法的完善活动而降低排放时,反游戏条款不适用。 因为可以计算历史年份工艺优化造成的基准下降,本方法是保守性的, 5. 泄漏 本方法不会造成泄漏。 6. 减排量 关于每个信用年,减排是指实际项目排放(使用替代PFC气体、c-C4F8产生的排放)和使用基准(C2F6)PFC气体产生排放之间的二氧化碳当量差异。 因此,应依据下述方程式计算信用年‘y’的减排 yyyPEBEER −18 其中 20/49 ERy年‘y’的减排(tCO2e) BEy年‘y’的基准线排放(tCO2e) PEy年‘y’的项目排放(tCO2e) 7. 不用监测的数据和参数 除下表列出的参数外,工具中未监测数据和参数的规定参考方法学应用。 数据/参数 GWPi数据单位 tCO2/tFCi说明 有效FC气体i的全球增温潜势 数据来源 IPCC 待应用的数值 项目参与人员将根据最新批准的COP/MOP IPCC报告,更新GWP。 GWPCF47,390 GWPC2F612,200 GWPC3F88,830 GWPc-C4F810,300 备注 以上数据适用于基准和项目排放的计算。 数据/参数 M2TPx-1,x-2,x-3数据单位 m2 说明 历史年‘x’产生的基片的表面面积(x -3 到 -1) 21/49 数据来源 生产记录 测算流程(如有) - 备注 - 数据/参数 tpnBLFCM,,,,62数据单位 g 说明 基准工艺‘p’、厚度‘t’ C2F6排放量 数据来源 事前测算活动 测算流程(如有) 使用FTIR测算至少5个晶片 备注 - 数据/参数 tpnBLC,,,数据单位 g 说明 基准工艺‘p’、厚度‘t’的C2F6消耗量 数据来源 事前测算活动 测算流程(如有) 通过逐渐整合信号,利用CVD模具质量流量控制器测算。项目参与人员将遵循质量流量控制器生产商的校准和维护程序。 备注 详见附件 22/49 数据/参数 tpnBLCFM,,,,4数据单位 g 说明 基准工艺‘p’、厚度‘t’ CF4副产品的排放量 数据来源 事前测算活动 测算流程(如有) 使用FTIR测算至少5个晶片 备注 - 数据/参数 piinc,,数据单位 ppmv 说明 基准工艺‘p’进入清除装置的气体i的浓度 数据来源 事前测算活动 测算流程(如有) 根据EPA协议,使用FTIR分光仪测算 备注 - 数据/参数 pioutc,,数据单位 ppmv 说明 基准工艺‘p’从清除装置排出的气体i的浓度 数据来源 事前测算活动 23/49 测算流程(如有) 根据EPA协议,使用FTIR分光仪测算 备注 - 数据/参数 3,2,1, −−− xxxBLC数据单位 g 说明 历史年‘x’x -3 到 -1 C2F6气体的消耗量 数据来源 消耗历史记录 测算流程(如有) 存货,把使用后留在船运集装箱(倾侧)的气体考虑在内,根据IPCC 2006年指南第3卷第6章,默认值为0.10 备注 三、 监测方法 1. 直接监测的关键参数 项目支持者应在每个信用年直接监测与基准和项目排放估算相关的关键参数。项目支持者应持续监测c-C4F8替代气体的消耗、所有关键清洗工艺参数(流量、等离子电源、压力、厚度和温度),从而确保不偏离清洗工艺设定值。此外,项目支持者还应实施年度核准方案,确保事前活动中测算的排放系数没有偏离,证明项目排放计算的准确性。 作为监测方法的一部分,项目参与人员应记录所有清洗工艺‘p’的工艺变化,记录和遵循恰当的维护程序。项目支持者应从减排量中扣除因设备校准、或影响项目排放计算的设备故障或其他维修活动产生的排放量。监测方法要素如下 1 应对监测收集的所有数据进行电子存档,并在最后的计入期结束后保存至少2年。应对“监测数据和参数”表格之外的所有数据进行监测。根据相关行业标准,对校准后的测算数据进行测算。 2 适用本方法提及的模具的监测规定; 24/49 3 应根据每个替代CVD反应室清洗运转使用的替代清洗气体(CPJ,p,t,k)的消耗进行的持续监测,计算项目排放。CVD模具的质量流量控制器提供消耗替代FC气体的测算,其信号将逐渐整合,用于实时计算消耗量; 4 应持续监测所有替代工艺的所有关键工艺参数(压力、温度、等离子电源、流量),从而确保相关排放系数(利用率、副产品排放系数、DRE)不会偏离事前测算活动中确定的中心工艺。 5 项目开发人员应遵守监测参数表包括的质量保证和质量控制(QA/QC)流程、附件中强调的QA/QC流程,对排放系数和DRE进行测算。 2. 排放系数的验证 6 经国家主管部门备案的审定/核证机构应在每个信用年的年初,系统地选择代表所有替代工艺和厚度范围组合的20的替代工艺,作为项目一部分进行实施(不含之前年份验证的工艺),并验证事前测算活动中测算的排放系数的准确性。为了避免歧义,审定的经国家主管部门备案的审定/核证机构将把前20的工艺包括在第一次活动中进行验证,核查的经国家主管部门备案的审定/核证机构选择随后的工艺进行核实。 为了避免歧义,如果有m100个不同的替代工艺和厚度范围(如100个不同的工艺和厚度范围)作为项目的一部分进行实施,项目开发人员应在每个信用年任意选择之前年份没有验证的20个工艺和厚度范围,根据事前活动中使用的同一实验协议,重复事前活动中进行的排放系数(EFPJ,p,t)的测算。 应在审定第一年和核查的后续年的信用年开始之前完成选择。如果工艺‘p’的总数不能被20整除,将进行四舍五入(例如,如果n95个工艺,每年验证的工艺的数目将会四舍五入为20)。 7 对于每个验证的清洗工艺,项目开发人员将确保验证和事前排放系数的偏差范围不超过/-2.5。 如果样本未发现偏差超过/-2.5的现象,可假设所有工艺符合特定条件。 如果样本中出现偏差超过/-2.5的现象,项目参与人员可以 y 扣除偏差工艺的生产比例;或者 y 使用新测算的排放系数,该排放系数经由新测量的标准差全额贴现。 25/49 核实生产线使用期 8 项目开发人员应在每个信用年年初,在项目范围每个项目生产线使用“设备剩余寿命确定工具”。如果任何项目生产线的剩余使用期不足一年,该生产线不

注意事项

本文(CM-053-V01半导体行业中替换清洗化学气相沉积(CVD)反应器的全氟化合物(PFC)气体项目自愿减排方法学.pdf)为本站会员(admin)主动上传,环境100文库仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私,请立即通知环境100文库(发送邮件至123120571@qq.com或直接QQ联系客服),我们立即给予删除!

温馨提示:如果因为网速或其他原因下载失败请重新下载,重复下载不扣分。

关于我们 - 网站声明 - 网站地图 - 资源地图 - 友情链接 - 网站客服客服 - 联系我们

copyright@ 2017 环境100文库版权所有
国家工信部备案号:京ICP备16041442号-6

收起
展开